成都方舟微电子：最低导通电阻的双芯片P沟道功率MOSFET—AKF20P45D 

    成都方舟微电子最近又推出新款器件：双芯片 20V P 沟道功率

MOSFET—AKF20P45D。新器件采用紧凑的 DFN2X2封装，不仅有优秀的

散热能力，还具有业界最低的导通电阻：在 4.5V 栅源电压下提供

35mΩ 超低导通电阻。同时该器件还有非常高的可靠性，能达到至少

2500V的 ESD保护能力。

    AKF20P45D在 4.5V、2.5V、1.8V和 1.5V时分别具有 35mΩ、50mΩ、

100mΩ 和 160mΩ 的超低导通电阻。性能达到并超过 Vishay 公司的

SiA923EDJ，可以在光模块、智能仪器仪表等领域替代进口器件。也

可用于智能手机、充电器、锂电池保护等。更低的导通电阻意味着更

低的传导损耗，从而节省电能提高能效，并延长两次充电之间的电池

寿命。

    新款双芯片 P沟道功率 MOSFET：AKF20P45D现可提供样品，目前

已实现量产。

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